-
1 технология изготовления кремниевых ИС
1) Electronics: silicon integrated-circuit technology2) Automation: silicon( integrated-circuit) technologyУниверсальный русско-английский словарь > технология изготовления кремниевых ИС
-
2 технология изготовления кремниевых приборов
Engineering: silicon technologyУниверсальный русско-английский словарь > технология изготовления кремниевых приборов
-
3 технология кремниевых приборов
Engineering: silicon technology (изготовления)Универсальный русско-английский словарь > технология кремниевых приборов
-
4 SiGMOS
silicon gigabit-per-second MOS logic — технология изготовления кремниевых логических устройств в виде ИМС с МОП-структурой, имеющих быстродействие в диапазоне гигабит в секундуАнгло-русский словарь промышленной и научной лексики > SiGMOS
См. также в других словарях:
Планарная технология — совокупность технологических операций, используемая при изготовлении планарных (плоских, поверхностных) полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. Содержание 1 Принципы технологии 2 Основные технолог … Википедия
ПЛАНАРНАЯ ТЕХНОЛОГИЯ — (от англ. planar плоский), совокупность способов изготовления полупроводниковых приборов и интегральных схем путем формирования их структур только с одной стороны пластины (подложки), вырезанной из монокристалла. П. т. основа микроэлектроники,… … Химическая энциклопедия
Планарная технология — планарный процесс (англ. planar, от лат. planus плоский, ровный), первоначально совокупность технологических операций, проводимых для получения полупроводниковых (ПП) приборов с электронно дырочными переходами (См. Электронно дырочный… … Большая советская энциклопедия
Интегральная схема — Запрос «БИС» перенаправляется сюда; см. также другие значения. Современные интегральные микросхемы, предназначенные для поверхностного монтажа Интегральная (микро)схема ( … Википедия
Кремний на изоляторе — Схема КНИ подложки Кремний на изоляторе (КНИ) (англ. Silicon on insulator, SOI) технология изготовления полупроводниковых приборов, основанная на использовании трёхслойной подложки со структурой кремний д … Википедия
SOI — Схема КНИ подложки Кремний на изоляторе (КНИ) (англ. Silicon on insulator, SOI) технология изготовления полупроводниковых приборов, основанная на использовании трёхслойной подложки со структурой кремний диэлектрик кремний вместо обычно… … Википедия
Silicon on insulator — Схема КНИ подложки Кремний на изоляторе (КНИ) (англ. Silicon on insulator, SOI) технология изготовления полупроводниковых приборов, основанная на использовании трёхслойной подложки со структурой кремний диэлектрик кремний вместо обычно… … Википедия
КНИ — Схема КНИ подложки Кремний на изоляторе (КНИ) (англ. Silicon on insulator, SOI) технология изготовления полупроводниковых приборов, основанная на использовании трёхслойной подложки со структурой кремний диэлектрик кремний вместо обычно… … Википедия
Кремний на сапфире — Схема КНИ подложки Кремний на изоляторе (КНИ) (англ. Silicon on insulator, SOI) технология изготовления полупроводниковых приборов, основанная на использовании трёхслойной подложки со структурой кремний диэлектрик кремний вместо обычно… … Википедия
Микросхема — Современные интегральные микросхемы, предназначенные для поверхностного монтажа. Советские и зарубежные цифровые микросхемы. Интегральная (engl. Integrated circuit, IC, microcircuit, microchip, silicon chip, or chip), (микро)схема (ИС, ИМС, м/сх) … Википедия
Большая интегральная схема — Современные интегральные микросхемы, предназначенные для поверхностного монтажа. Советские и зарубежные цифровые микросхемы. Интегральная (engl. Integrated circuit, IC, microcircuit, microchip, silicon chip, or chip), (микро)схема (ИС, ИМС, м/сх) … Википедия